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碳化硅材料普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域,已经成为一种在很多工业领域不可替代的材料。
SiC是一种超晶格,又是一种典型的同质多型体。由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构,有着超过200种(目前已知)同质多型族。因此SiC非常适合用作新一代发光(LED)衬底材料、大功率电力电子材料。
SiC的硬度仅次于金刚石,可以作为砂轮等磨具的磨料,因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光,其中金刚石砂轮磨削加工的效率Z高,是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不仅具有高硬度的特点,高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层,且产生较为严重的表面与亚表层损伤,影响加工精度。因此,深入研究SiC磨削机理与亚表面损伤对于提高SiC磨削加工效率和表面质量具有重要意义。
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